Waferエッジ検査の特許を取得しました。

2019年10月、株式会社昭和電気研究所は、Waferのエッジ部の検査の特許を取得しました。
近年、デバイスメーカーではWaferの薄化に伴い、エッジ部がナイフエッジとなり欠けが発生しやすくなったり、エッジ部からのWaferの破損や、脱落したSiの破片による事故が多発し、半導体業界では大きな問題となっております。これはWaferを貼り合わせるなど、従来には無い半導体工法の現れによるものです。
当社では、Wafer検査に関する技術力向上の取り組みを行い、より高精度な光学検査を実現します。

【主な特長】
・立体的なエッジを、他に類を見ない特殊な光学系で鮮明に撮像。
・ウェハの貼り合わせのズレや接着剤のはみ出しなど、欠けだけでなく、エッジ部から得られるあらゆる情報を取得し測定、検査を行います。

【特許概要】
特許取得日：　2019年10月